High-power AlGaN/GaN HEMTs for Ka-band applications

نویسندگان
چکیده

برای دانلود باید عضویت طلایی داشته باشید

برای دانلود متن کامل این مقاله و بیش از 32 میلیون مقاله دیگر ابتدا ثبت نام کنید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

BCB-bridged Ka-band MMICs using In0.5Al0.5As/In0.5Ga0.5As metamorphic HEMTs

The InAlAs/InGaAs metamorphic HEMT (mHEMT) two-stage Ka-band amplifier and DC-30 GHz distributed SPST switch were designed and fabricated using low-k benzocyclobutene (BCB) bridged technology. This fabrication technology takes the advantages of its low dielectric permittivity (2.7), low loss tangent (0.008), low curing temperature, low water up-take, and simple manufacturing process. The MMIC f...

متن کامل

Current Status of X-Band and Ku-Band High Power GaN HEMTs

あらまし GaN HEMTの高周波高出力の一例として X帯 50 W級,100 W級,並びに Ku帯 50 W級 GaN HEMT の技術課題と解決方法,特性例について述べる.GaN HEMT は出力電力密度が高い一方で,その発熱 密度も高い.発熱量を抑えるためには高い効率,そのために高い利得が必要である.X-Ku 帯において利得を上 げるために,フィールドプレートを用いない電流コラプス低減対策,Via-hole を用いたソース接地を適用した. その結果,X 帯 100 W 級 GaN HEMT では,飽和出力電力 51.1 dB(129 W),最大電力付加効率は 47.8%を 得た.Ku帯 50 W級 GaN HEMTでは,飽和出力電力 47.3 dBm(53 W),最大電力付加効率は 33.2%を得た. 最後にいくつかの実用例を紹介した. キーワード GaN HEMT,電力付加効...

متن کامل

High Power SSPA Based on GaN HEMTs for S-band Military Radars

In this paper, we have developed a high power solid-state power amplifier (SSPA) for Sband military radars. The SSPA consists of a high power amplifier (HPA) module combined GaN based power amplifier pallets, a drive amplifier (DA) module, a digital control module and a power supply unit. The SSPA shows the total output power of 62 dBm in S-band.

متن کامل

Typical Ka band Satellite Beacon Receiver Design for Propagation Experimentation

This paper presents the design and simulation of a typical Ka band satellite beacon receiver for propagation experimentation. Using satellite beacon signal as a reference signal in satellite wave propagation study, is one of the most important methods. Satellite beacons are frequently available for pointing large antennas, but such signals can be used for measuring the effect of natural phenome...

متن کامل

ذخیره در منابع من


  با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ژورنال

عنوان ژورنال: IEEE Electron Device Letters

سال: 2005

ISSN: 0741-3106

DOI: 10.1109/led.2005.857701